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ALD薄膜沉積
基底尺寸2”、4”、6”wafer應用領(lǐng)域Al2O3， HfO2， ZrO2、 MoOx、 VOx、 TiO2， SiO2， AlN，SixNy 等配置簡(jiǎn)述配置 3 路液態(tài)源，一路固態(tài)源，和一路臭氧源···
基底尺寸 | 2”、4”、6”wafer |
應用領(lǐng)域 | Al2O3， HfO2， ZrO2、 MoOx、 VOx、 TiO2， SiO2， AlN，SixNy 等 |
配置簡(jiǎn)述 | 配置 3 路液態(tài)源，一路固態(tài)源，和一路臭氧源 |
成膜均勻性 | ＜±1% @Al2O3 |
溫度均勻性 | ΔT＜2℃ |
基底傳送 | 日本JEL全自動(dòng)機械手 |
腔體布局 | 四面體TM+LL+工藝室 |
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